[发明专利]用于形成交叉点存储器的置换材料工艺

说明书

本发明涉及用于形成交叉点存储器的置换材料工艺。本发明揭示形成包括相变材料及/或硫属化物材料的存储器单元的方法。在一个方面中，所述方法包含提供在第一方向上延伸的下部线堆叠，所述下部线堆叠包括在下部导电线上方的牺牲线。所述方法进一步包含：通过选择性地移除所述牺牲线的牺牲材料并用硫属化物材料置换所述牺牲线而形成在所述第一方向上延伸的硫属化物线。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2015年03月25日、申请号为PCT/US2015/022576的国际申请进入中国后发明名称为“用于形成交叉点存储器的置换材料工艺”的第201580016818.5号发明专利申请案。

技术领域

本文中所揭示的标的物一般来说涉及集成电路中的装置，且明确地说，涉及形成装置阵列(例如，交叉点阵列内的存储器单元)的方法。

背景技术

可在大范围的电子装置中发现并入有硫属化物材料的装置(例如，双向阈值开关及相变存储元件)。这些装置可用于计算机、数码相机、蜂窝式电话、个人数字助理等中。系统设计者在确定是否及如何并入硫属化物材料以用于特定应用时可考虑的因素可包含(举例来说)物理大小、存储密度、可扩缩性、操作电压及电流、读取/写入速度、读取/写入吞吐量、传输速率、功率消耗及/或用硫属化物材料形成装置的方法。

附图说明

在说明书的结束部分中特别指出所主张的标的物。然而，通过参考以下详细说明并结合附图阅读可更好地理解组织及/或操作方法以及其一些目标、特征及/或优点，在附

图中：

图1A是根据一些实施例的存储器单元的示意性三维描绘。

图1B是根据一些其它实施例的存储器单元的示意性三维描绘。

图1C是根据一些其它实施例的存储器单元的示意性三维描绘。

图2是根据一些实施例的描绘交叉点存储器阵列的示意性平面图图解。

图3A到3E是根据一些实施例的存储器单元的各个制作阶段的示意性三维描绘。

图4A到4E是根据一些其它实施例的存储器单元的各个制作阶段的示意性三维描绘。

图5A到5E是根据一些其它实施例的存储器单元的各个制作阶段的示意性三维描绘。

图6A到6E是根据一些其它实施例的存储器单元的各个制作阶段的示意性三维描绘。

图7A到7E是根据一些其它实施例的存储器单元的各个制作阶段的示意性三维描绘。

图8A到8E是根据一些其它实施例的存储器单元的各个制作阶段的示意性三维描绘。

图式中的特征未必按比例绘制且可在不同于所图解说明的方向的方向上延伸。虽然图解说明各种轴及方向以促进本文中的论述，但将了解，所述特征可在不同方向上延伸。

具体实施方式