[发明专利]用于形成交叉点存储器的置换材料工艺

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，其包括：

形成朝向第一方向第一线堆叠，所述第一线堆叠包括第一导线上方的在第一硫属化物线中形成的第一硫属化物材料和在第二硫属化物线中形成的第二硫属化物材料；以及

形成朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二线堆叠，所述第二线堆叠位于所述第一线堆叠之上方并且包括牺牲线，其中所述第二硫属化物材料位于所述第二线堆叠的所述牺牲线下方；

其中形成所述第二线堆叠包括：

形成包括牺牲材料的材料堆叠；

蚀刻所述牺牲材料和包含所述第二硫属化物线的所述第一线堆叠的至少部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

形成朝向所述第二方向的导线，其中形成所述导线包括：

移除所述牺牲线的牺牲材料；以及

替换经移除的牺牲材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二线堆叠包括：

形成包括牺牲材料的材料堆叠；以及

减性地图案化所述材料堆叠。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述材料堆叠包括：

位于所述牺牲材料下方的所述第二硫属化物材料。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述材料堆叠包括：

位于所述牺牲材料下方的电极材料。

6.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

在沿所述第二方向延伸的多条分开的线之间沉积电介质材料，其中所述沉积至少部分地基于所述材料堆叠的所述图案化。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：

移除所述牺牲线；

沉积导电材料；以及

形成具有导电线和电介质区域的表面。

8.根据权利要求3所述的方法，其中减性地图案化所述材料堆叠包括：

刻蚀所述第一线堆叠的中间电极线以形成在所述第一方向和所述第二方向上电隔离的中间电极材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一线堆叠或所述第二线堆叠包括：

使用间距倍增过程来减性地图案化。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硫属化物线是存储器元件或是所述存储器单元的选择器元件。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一线堆叠包括：

形成包括所述第一硫属化物材料以及导电材料的堆叠材料；以及

使用蚀刻来减性地图案化所述堆叠材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲线包括碳、聚酰亚胺、氧化硅、氮化铝或硅中的至少一种。

13.一种形成存储器单元的方法，其包括：

形成朝向第一方向的第一线堆叠，其中所述第一线堆叠包括在第一导线上方的牺牲线；

通过移除所述牺牲线并且替换所述牺牲线的第一牺牲材料来形成在所述第一方向上延伸的包括第一硫属化物材料的第一硫属化物线；

形成在所述第一方向上延伸的包括第二硫属化物材料的第二硫属化物线；以及

形成覆盖所述第一线堆叠并朝向不同于所述第一方向的第二方向的第二线堆叠，其中所述第二硫属化物材料位于所述第二线堆叠的牺牲线下方；

其中形成所述第二线堆叠包括：

形成包括第二牺牲材料的材料堆叠；以及

蚀刻所述第二牺牲材料和包含所述第二硫属化物线的所述第一线堆叠的至少部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第二线堆叠包括：

形成包括多个层的材料堆叠；以及

使用蚀刻来减性地图案化所述材料堆叠。