[发明专利]大功率负载芯片在审
| 申请号： | 201711413526.2 | 申请日： | 2017-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108091625A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 樊超 | 申请（专利权）人： | 苏州赛源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 韩飞 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率负载芯片，其包括介质基片、第一金属带线、第二金属带线和电性设置于第一金属带线和第二金属带线之间的薄膜电阻层，介质基片内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线的金属化过孔，所述金属化过孔包括金属区域和介质区域，所述金属区域和所述介质区域沿所述金属化过孔的周向间隔排布。本发明大功率负载芯片的薄膜电阻层能够在大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，且介质基片内部设置有金属化过孔，金属化过孔具有间隔布置的金属区域和介质区域，减弱了等效电感对于高频信号的隔离作用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化过孔 金属带线 大功率负载 介质基片 介质区域 金属区域 芯片 薄膜电阻层 内部设置 等效电感 高频信号 隔离作用 间隔布置 匹配阻抗 周向间隔 固定的 金属层 电性 耐受 排布 连通 保证 | ||
【主权项】：
1.一种大功率负载芯片，其包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线(2)、第二金属带线(4)和长方形的薄膜电阻层(3)，薄膜电阻层(3)设置于第一金属带线(2)和第二金属带线(4)之间，且分别与第一金属带线(2)和第二金属带线(4)电连接；所述介质基片(1)的下表面设置有金属层，介质基片(1)内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线(4)的金属化过孔(5)，其特征在于：所述金属化过孔(5)包括金属区域(51)和介质区域(52)，所述金属区域(51)和所述介质区域(52)沿所述金属化过孔(5)的周向间隔排布。
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