[发明专利]大功率负载芯片

说明书

本发明公开了一种大功率负载芯片，其包括介质基片、第一金属带线、第二金属带线和电性设置于第一金属带线和第二金属带线之间的薄膜电阻层，介质基片内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线的金属化过孔，所述金属化过孔包括金属区域和介质区域，所述金属区域和所述介质区域沿所述金属化过孔的周向间隔排布。本发明大功率负载芯片的薄膜电阻层能够在大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，且介质基片内部设置有金属化过孔，金属化过孔具有间隔布置的金属区域和介质区域，减弱了等效电感对于高频信号的隔离作用。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种大功率负载芯片。

背景技术

随着科学技术的发展和社会科技水平的不断进步，微波毫米波电路已经越来越广泛地应用于人们的工作和社会的科学实践中；就目前而言，微波毫米波电路绝大多数选择50Ω作为系统的参考阻抗，因此在多模块的系统级联、测试测量过程中，均要求各模块的端口阻抗、连接器、测试电缆的特性阻抗均为50Ω，多端口器件中，不用的端口也需要接50Ω匹配负载来吸收信号，避免信号反射回电路中，影响器件性能。

因此在大功率微波产品中，若50Ω负载所能承受的功率不足，就可能会引起负载或产品损坏，对微波毫米波电路的正常工作产生不利影响；但现有的大功率负载芯片中，若想要扩大其承受功率，往往会改变负载芯片内部的匹配阻抗，进而不利于与微波毫米波电路中的其它模块相匹配。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于单个金属化过孔的大功率负载芯片，能够在大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，并降低金属化过孔的等效电感对高频信号的影响，使负载芯片既能够应用与高频环境，也能够应用于低频环境。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种大功率负载芯片，其包括介质基片,所述的介质基片的上表面设置有第一金属带线、第二金属带线和长方形的薄膜电阻层，薄膜电阻层设置于第一金属带线和第二金属带线之间，且分别与第一金属带线和第二金属带线电连接；所述介质基片的下表面设置有金属层，介质基片内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线的金属化过孔，所述金属化过孔包括金属区域和介质区域，所述金属区域和所述介质区域沿所述金属化过孔的周向间隔排布。

作为本发明的一种优选实施方式，所述金属区域和所述介质区域均为符合金属化过孔的弧度的片状长方形。

作为本发明的一种优选实施方式，所述金属区域和所述介质区域的轴线均垂直所述介质基片的上下表面。

作为本发明的一种优选实施方式，所述第二金属带线上还设置有与金属化过孔配合的小孔，第二金属带线上的小孔与所述金属化过孔连通。

作为本发明的一种优选实施方式，所述第二金属带线上的小孔与所述金属化过孔个数相同且一一对应。

作为本发明的一种优选实施方式，所述第二金属带线上的小孔与所述金属化过孔直径相等。

作为本发明的一种优选实施方式，所述金属化过孔的个数为1。

作为本发明的一种优选实施方式，所述的大功率负载芯片还包括接入端口，所述接入端口与第一金属带线连接。

作为本发明的一种优选实施方式，所述第一金属带线与薄膜电阻层之间存在第一交叠区域，且第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接。

作为本发明的一种优选实施方式，所述第二金属带线与薄膜电阻层之间存在第二交叠区域，且第二金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：本发明大功率负载芯片的薄膜电阻层能够在大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，且介质基片内部设置有金属化过孔，金属化过孔具有间隔布置的金属区域和介质区域，减弱了等效电感对于高频信号的隔离作用。