[发明专利]大功率负载芯片在审
| 申请号： | 201711413526.2 | 申请日： | 2017-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108091625A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 樊超 | 申请（专利权）人： | 苏州赛源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 韩飞 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属化过孔 金属带线 大功率负载 介质基片 介质区域 金属区域 芯片 薄膜电阻层 内部设置 等效电感 高频信号 隔离作用 间隔布置 匹配阻抗 周向间隔 固定的 金属层 电性 耐受 排布 连通 保证 | ||
1.一种大功率负载芯片，其包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线(2)、第二金属带线(4)和长方形的薄膜电阻层(3)，薄膜电阻层(3)设置于第一金属带线(2)和第二金属带线(4)之间，且分别与第一金属带线(2)和第二金属带线(4)电连接；所述介质基片(1)的下表面设置有金属层，介质基片(1)内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线(4)的金属化过孔(5)，其特征在于：所述金属化过孔(5)包括金属区域(51)和介质区域(52)，所述金属区域(51)和所述介质区域(52)沿所述金属化过孔(5)的周向间隔排布。
2.根据权利要求1所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述金属区域(51)和所述介质区域(52)均为符合金属化过孔(5)的弧度的片状长方形。
3.根据权利要求2所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述金属区域(51)和所述介质区域(52)的轴线均垂直所述介质基片(1)的上下表面。
4.根据权利要求3所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线(4)上还设置有与金属化过孔(5)配合的小孔(6)，第二金属带线(4)上的小孔(6)与所述金属化过孔(5)连通。
5.根据权利要求4所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线(4)上的小孔(6)与所述金属化过孔(5)个数相同且一一对应。
6.根据权利要求5所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线(4)上的小孔(6)与所述金属化过孔(5)直径相等。
7.根据权利要求6所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述金属化过孔(5)的个数为1。
8.根据权利要求1所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述的大功率负载芯片还包括接入端口，所述接入端口与第一金属带线(2)连接。
9.根据权利要求1所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述第一金属带线(2)与薄膜电阻层(3)之间存在第一交叠区域(7)，且第一金属带线(2)与薄膜电阻层(3)通过第一交叠区域(7)实现电连接。
10.根据权利要求1所述的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线(4)与薄膜电阻层(3)之间存在第二交叠区域(8)，且第二金属带线(2)与薄膜电阻层(3)通过第一交叠区域(8)实现电连接。
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