[发明专利]场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711397441.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108133963B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场效应管及其制作方法。所述场效应管的制作方法包括：提供SOI基底，所述SOI基底包括依序设置的硅衬底、埋氧层及顶层硅；将所述顶层硅形成P型低掺杂区；在所述P型低掺杂区表面形成N型高掺杂区；对所述N型高掺杂区及P型低掺杂区进行刻蚀，从而在所述N型高掺杂区表面形成第一沟槽以及在所述第一沟槽底部形成贯穿所述N型高掺杂区、所述P型低掺杂区、所述埋氧层并延伸至所述硅衬底中的两个与所述第一沟槽连通的第二沟槽；在所述第一沟槽及第二沟槽内壁形成栅氧化层；去除所述第二沟槽底部的栅氧化层；在所述第一沟槽及第二沟槽中的栅氧化层及硅衬底表面形成多晶硅；在所述多晶硅及所述栅氧化层上形成介质层、接触孔、漏极及源极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种场效应管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供SOI基底，所述SOI基底包括依序设置的硅衬底、埋氧层及顶层硅；对所述顶层硅进行P型离子注入及驱入，从而将所述顶层硅形成P型低掺杂区；对所述P型低掺杂区进行N型离子注入从而在所述P型低掺杂区表面形成N型高掺杂区；对所述N型高掺杂区及P型低掺杂区进行刻蚀，从而在所述N型高掺杂区表面形成第一沟槽以及在所述第一沟槽底部形成贯穿所述N型高掺杂区、所述P型低掺杂区、所述埋氧层并延伸至所述硅衬底中的两个与所述第一沟槽连通的第二沟槽；在所述第一沟槽及第二沟槽内壁形成栅氧化层；对所述栅氧化层进行刻蚀，从而去除所述第二沟槽底部的栅氧化层；在所述第一沟槽及第二沟槽中的栅氧化层及硅衬底表面形成多晶硅；在所述多晶硅及所述栅氧化层上形成介质层，形成贯穿所述介质层及所述栅氧化层且分别对应所述第一沟槽两侧的N型高掺杂区的两个接触孔，形成漏极及源极，所述源极与漏极分别通过所述两个接触孔连接所述N型高掺杂区。
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