[发明专利]场效应管及其制作方法

说明书

本发明涉及一种场效应管及其制作方法。所述场效应管的制作方法包括：提供SOI基底，所述SOI基底包括依序设置的硅衬底、埋氧层及顶层硅；将所述顶层硅形成P型低掺杂区；在所述P型低掺杂区表面形成N型高掺杂区；对所述N型高掺杂区及P型低掺杂区进行刻蚀，从而在所述N型高掺杂区表面形成第一沟槽以及在所述第一沟槽底部形成贯穿所述N型高掺杂区、所述P型低掺杂区、所述埋氧层并延伸至所述硅衬底中的两个与所述第一沟槽连通的第二沟槽；在所述第一沟槽及第二沟槽内壁形成栅氧化层；去除所述第二沟槽底部的栅氧化层；在所述第一沟槽及第二沟槽中的栅氧化层及硅衬底表面形成多晶硅；在所述多晶硅及所述栅氧化层上形成介质层、接触孔、漏极及源极。

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种场效应管及其制作方法。

【背景技术】

场效应管被广泛应用于开关电源领域。然而，现有场效应管中，因为栅极(Gate)是在沟道区的上方，所以沟道区仅仅受到沟道区上方的栅极的控制，对于沟道的底部，受栅极的影响很弱。源极到漏极的载流子有时就不受栅极的控制，产生漏电等问题。另外，对于常规的结构，栅极与源极和漏极都在同一侧。但是对于部分应用领域的封装，如果要求栅极与源漏极不在一侧的情况，对于场效应管的封装就会比较麻烦。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种场效应管及其制作方法。

一种场效应管的制作方法包括以下步骤：

提供SOI基底，所述SOI基底包括依序设置的硅衬底、埋氧层及顶层硅；

对所述顶层硅进行P型离子注入及驱入，从而将所述顶层硅形成P型低掺杂区；

对所述P型低掺杂区进行N型离子注入从而在所述P型低掺杂区表面形成N型高掺杂区；

对所述N型高掺杂区及P型低掺杂区进行刻蚀，从而在所述N型高掺杂区表面形成第一沟槽以及在所述第一沟槽底部形成贯穿所述N型高掺杂区、所述P型低掺杂区、所述埋氧层并延伸至所述硅衬底中的两个与所述第一沟槽连通的第二沟槽；

在所述第一沟槽及第二沟槽内壁形成栅氧化层；

对所述栅氧化层进行刻蚀，从而去除所述第二沟槽底部的栅氧化层；

在所述第一沟槽及第二沟槽中的栅氧化层及硅衬底表面形成多晶硅；

在所述多晶硅及所述栅氧化层上形成介质层，形成贯穿所述介质层及所述栅氧化层且分别对应所述第一沟槽两侧的N型高掺杂区的两个接触孔，形成漏极及源极，所述源极与漏极分别通过所述两个接触孔连接所述N型高掺杂区。

在一种实施方式中，所述P型注入的剂量在每平方厘米1的12次方到每平方厘米1的15次方的范围内，注入的能量在30KEV至200KEV的范围内；对进行P型体区的驱入的步骤的温度在600摄氏度到1200摄氏度的范围内，时间在30分钟到300分钟的范围内。

在一种实施方式中，所述N型离子的剂量在每平方厘米1的13次方到每平方厘米9的16次方的范围内，所述注入的能量在30KEV至200KEV的范围内。

在一种实施方式中，从平面上看，所述第一沟槽与第二沟槽的平面形状均为矩形，所述第二沟槽的平面尺寸小于所述第一沟槽，所述两个第二沟槽分别位于所述第一沟槽的上半部分与下半部分。

在一种实施方式中，所述栅氧化层的形成温度在600摄氏度至1200摄氏度的范围内。

在一种实施方式中，所述多晶硅的形成温度在500摄氏度至1200摄氏度的范围内，厚度在0.01um至0.5um的范围内。

在一种实施方式中，所述介质层的材料包括二氧化硅或者其他绝缘材料，厚度在0.01um至2um的范围内。