[发明专利]场效应管及其制作方法

权利要求书

1.一种场效应管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供SOI基底，所述SOI基底包括依序设置的硅衬底、埋氧层及顶层硅；

对所述顶层硅进行P型离子注入及驱入，从而将所述顶层硅形成P型低掺杂区；

对所述P型低掺杂区进行N型离子注入从而在所述P型低掺杂区表面形成N型高掺杂区；

对所述N型高掺杂区及P型低掺杂区进行刻蚀，从而在所述N型高掺杂区表面形成第一沟槽以及在所述第一沟槽底部形成贯穿所述N型高掺杂区、所述P型低掺杂区、所述埋氧层并延伸至所述硅衬底中的两个与所述第一沟槽连通的第二沟槽；

在所述第一沟槽及第二沟槽内壁形成栅氧化层；

对所述栅氧化层进行刻蚀，从而去除所述第二沟槽底部的栅氧化层；

在所述第一沟槽及第二沟槽中的栅氧化层及硅衬底表面形成多晶硅；

在所述多晶硅及所述栅氧化层上形成介质层，形成贯穿所述介质层及所述栅氧化层且分别对应所述第一沟槽两侧的N型高掺杂区的两个接触孔，形成漏极及源极，所述源极与漏极分别通过所述两个接触孔连接所述N型高掺杂区。

2.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，所述P型注入的剂量在每平方厘米到每平方厘米的范围内，注入的能量在30KEV至200KEV的范围内；对进行P型体区的驱入的步骤的温度在600摄氏度到1200摄氏度的范围内，时间在30分钟到300分钟的范围内。

3.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，所述N型离子的剂量在每平方厘米到每平方厘米的范围内，所述注入的能量在30KEV至200KEV的范围内。

4.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，从平面上看，所述第一沟槽与第二沟槽的平面形状均为矩形，所述第二沟槽的平面尺寸小于所述第一沟槽，所述两个第二沟槽分别位于所述第一沟槽的上半部分与下半部分。

5.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，所述栅氧化层的形成温度在600摄氏度至1200摄氏度的范围内。

6.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，所述多晶硅的形成温度在500摄氏度至1200摄氏度的范围内，厚度在0.01um至0.5um的范围内。

7.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅或者其他绝缘材料，厚度在0.01um至2um的范围内。

8.如权利要求1所述的场效应管的制作方法，其特征在于，所述源极及漏极的材料包括铝、铝硅合金或铝硅铜合金，厚度0.01um至3um的范围内。

9.一种场效应管，其特征在于：所述场效应管包括硅衬底、依序形成于所述硅衬底上的埋氧层、P型低掺杂区与N型高掺杂区、形成于所述N型高掺杂区表面的第一沟槽、以及在所述第一沟槽底部形成贯穿N型高掺杂区、所述P型低掺杂区、所述埋氧层并延伸至所述硅衬底中的两个与所述第一沟槽连通的第二沟槽、在所述第一沟槽内壁及第二沟槽侧壁形成栅氧化层、在所述第一沟槽及第二沟槽中的栅氧化层及硅衬底表面形成的多晶硅、在所述多晶硅及所述栅氧化层上形成的介质层、贯穿所述介质层及所述栅氧化层且分别对应所述第一沟槽两侧的N型高掺杂区的两个接触孔、及分别通过所述两个接触孔连接所述两个N型高掺杂区的源极与漏极。

10.如权利要求9所述的场效应管，其特征在于，所述源极及漏极分别用于连接源极引线端与漏极引线端，所述硅衬底远离所述埋氧层的一侧用于连接栅极引线端。