[发明专利]双极晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及一种双极晶体管的制作方法。所述制作方法在进行介质隔离层的接触孔刻蚀时，包括以下步骤：在所述介质隔离层上形成光刻胶，所述光刻胶包括对应所述N阱的窗口；利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀，从而形成贯穿所述介质隔离层并延伸至所述氧化层中的第一接触孔，所述第一接触孔与所述N阱之间具有所述氧化层，去除所述光刻胶；对所述氧化层、所述介质隔离层、所述氧化硅层进行刻蚀，从而去除所述第一接触孔下方的氧化层使得所述第一接触孔贯穿所述氧化层以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、形成贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。

主权项

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，形成贯穿所述N型外延层与所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽具有填充物；形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，以及在所述隔离沟槽、所述N阱及所述N型外延层上形成氧化层与贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的开口；在所述N型外延层及所述氧化层上方形成基极多晶硅；进行基区注入及高温扩散，从而在所述N型外延层表面形成基区结；在所述基极多晶硅邻近所述基区结一侧形成隔离侧墙，在所述基区结上形成发射极多晶硅；在所述氧化层、所述氧化硅层及所述发射极多晶硅上形成介质隔离层；在所述介质隔离层上形成光刻胶，所述光刻胶包括对应所述N阱的窗口；利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀，从而形成贯穿所述介质隔离层并延伸至所述氧化层中的第一接触孔，所述第一接触孔与所述N阱之间具有所述氧化层，去除所述光刻胶；对所述氧化层、所述介质隔离层、所述氧化硅层进行刻蚀，从而去除所述第一接触孔下方的氧化层使得所述第一接触孔贯穿所述氧化层以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、形成贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。