[发明专利]双极晶体管的制作方法

说明书

本发明涉及一种双极晶体管的制作方法。所述制作方法在进行介质隔离层的接触孔刻蚀时，包括以下步骤：在所述介质隔离层上形成光刻胶，所述光刻胶包括对应所述N阱的窗口；利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀，从而形成贯穿所述介质隔离层并延伸至所述氧化层中的第一接触孔，所述第一接触孔与所述N阱之间具有所述氧化层，去除所述光刻胶；对所述氧化层、所述介质隔离层、所述氧化硅层进行刻蚀，从而去除所述第一接触孔下方的氧化层使得所述第一接触孔贯穿所述氧化层以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、形成贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种双极晶体管的制作方法。

【背景技术】

起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管，即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构： PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极晶体管中，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。单双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

在现有双极晶体管的制作过程中，器件的集电极与基极位置的介质层厚度不同。其中集电极的介质层厚度包括氧化层以及介质隔离层，厚度通常为7000Å+5000Å，而基极的介质层厚度为5000Å左右。传统工艺中，两个电极的接触孔是同时形成的，若要保证集电极的接触孔形成贯穿，则总刻蚀量约为15000Å左右(包括过刻)，此刻蚀量会对基极的多晶造成严重的损伤，严重时基极的多晶甚至都会被刻蚀干净，进而在金属填充至接触孔中后，很难保证基极的接触，从而导致器件性能失效，影响器件的可靠性。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种双极晶体管的制作方法。

一种双极晶体管的制作方法，其包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，形成贯穿所述N型外延层与所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽具有填充物；

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，以及在所述隔离沟槽、所述N阱及所述N型外延层上形成氧化层与贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的开口；

在所述N型外延层及所述氧化层上方形成基极多晶硅；

进行基区注入及高温扩散，从而在所述N型外延层表面形成基区结；

在所述基极多晶硅邻近所述基区结一侧形成隔离侧墙，在所述基区结上形成发射极多晶硅；

在所述氧化层、所述氧化硅层及所述发射极多晶硅上形成介质隔离层；

在所述介质隔离层上形成光刻胶，所述光刻胶包括对应所述N阱的窗口；

利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀，从而形成贯穿所述介质隔离层并延伸至所述氧化层中的第一接触孔，所述第一接触孔与所述N阱之间具有所述氧化层，去除所述光刻胶；

对所述氧化层、所述介质隔离层、所述氧化硅层进行刻蚀，从而去除所述第一接触孔下方的氧化层使得所述第一接触孔贯穿所述氧化层以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、形成贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。