[发明专利]双极晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，形成贯穿所述N型外延层与所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽具有填充物；

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，以及在所述隔离沟槽、所述N阱及所述N型外延层上形成氧化层与贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的开口；

在所述N型外延层及所述氧化层上方形成基极多晶硅；

进行基区注入及高温扩散，从而在所述N型外延层表面形成基区结；

在所述基极多晶硅邻近所述基区结一侧形成隔离侧墙，在所述基区结上形成发射极多晶硅；

在所述氧化层、所述氧化硅层及所述发射极多晶硅上形成介质隔离层；

在所述介质隔离层上形成光刻胶，所述光刻胶包括对应所述N阱的窗口；

利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀，从而形成贯穿所述介质隔离层并延伸至所述氧化层中的第一接触孔，所述第一接触孔与所述N阱之间具有所述氧化层，去除所述光刻胶，其中，所述第一接触孔与所述N阱之间的所述氧化层的厚度与所述发射极多晶硅上方的介质隔离层的厚度相等，所述第一接触孔与所述N阱之间的所述氧化层的厚度与所述基极多晶硅上方的氧化硅层及介质隔离层的厚度相等；

对所述氧化层、所述介质隔离层、所述氧化硅层进行刻蚀，从而去除所述第一接触孔下方的氧化层使得所述第一接触孔贯穿所述氧化层以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、形成贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：在所述介质隔离层上形成集电极、基极及发射极，所述集电极通过所述第一接触孔连接所述N阱，所述基极通过所述第二接触孔连接所述基极多晶硅，所述发射极通过所述第三接触孔连接所述发射极多晶硅。

3.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀的步骤中，所述第一接触孔的深度为7000埃。

4.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：在所述N型外延层及所述氧化层上方形成基极多晶硅的步骤包括：

在所述氧化层及所述开口处的N型外延层上形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行P型注入；

在所述多晶硅层表面形成氧化硅层；

利用光刻胶对所述氧化硅层进行光刻及腐蚀，从而去除所述氧化层上的部分所述多晶硅层及上方的所述氧化硅层、以及所述N型外延层上的部分所述多晶硅层及上方的氧化硅层，保留的位于所述N型外延层及所述氧化层上方的多晶硅层作为基极多晶硅。

5.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述基区结还延伸至所述基区多晶硅及所述氧化层的下方。

6.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述基区结包括基区及连接于所述基区两侧的P型接触区，所述基区多晶硅形成于所述P型接触区上。

7.如权利要求6所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述隔离侧墙位于所述基区上并将所述基区多晶硅与所述发射极多晶硅间隔。

8.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述基极多晶硅、所述基极、所述N阱、所述集电极、所述第二接触孔及所述第三接触孔的数量均为两个，所述两个基极多晶硅分别位于所述基区两侧的P型接触区上，所述两个基极分别通过对应的一个第二接触孔连接所述两个基极多晶硅，所述两个N阱分别位于所述基区的两侧，所述两个集电极分别通过对应的一个第三接触孔连接所述两个N阱。