[发明专利]气体处理装置和气体处理方法在审
申请号: | 201711395621.4 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108231626A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 挂川崇;古屋雄一;鸟屋大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置包括:将处理气体以喷淋状喷出到基板(W)的气体扩散板(35);设置在气体扩散板的上方侧,沿着周向分别形成有多个气体排出口(43)的多个气体分散部(41);和上游侧形成各气体分散部共用的共用流路,下游侧与各气体分散部连接,并且从共用流路至各气体分散部(41)的长度相互一致的处理气体的流路(5)。气体分散部(41)俯视时沿着中心分别绕该扩散空间(36)的中心部设置且沿扩散空间(36)的周向设置的多个第一圆配置,且在每一个第一圆上以与扩散空间的中心部的距离相互不同的方式配置有多个。由此,能够在该基板的面内进行均匀性高的处理。 | ||
搜索关键词: | 气体分散 气体处理装置 扩散空间 气体扩散板 处理气体 共用流路 气体处理 中心部 基板 气体排出口 方式配置 周向设置 均匀性 喷淋状 流路 喷出 俯视 上游 配置 | ||
【主权项】:
1.一种气体处理装置,其对真空气氛的处理室内的基板供给处理气体来进行处理,所述气体处理装置的特征在于,包括:设置在所述处理室中的用于载置所述基板的载置部;气体扩散板,其构成位于所述载置部的上方侧的顶部,形成有用于将所述处理气体以喷淋状喷出的多个气体喷出孔;多个气体分散部,其在所述气体扩散板的上方侧设置在隔着所述处理气体的扩散空间与所述气体扩散板相对的相对部,且为了使所述处理气体在横向上分散于所述扩散空间中而沿周向分别形成有多个气体排出口;和所述处理气体的流路,其上游侧形成各所述气体分散部共用的共用流路,中途分支成多个流路,下游侧与各该气体分散部连接,并且从所述共用流路至各气体分散部的长度相互一致,所述气体分散部以如下布局配置:在俯视所述扩散空间时,所述气体分散部沿着多个第一圆配置,且在每一个所述第一圆上以所述气体分散部与所述扩散空间的中心部的距离相互不同的方式配置有多个,其中,所述多个第一圆的中心分别绕该扩散空间的中心部设置,且所述多个第一圆沿着所述扩散空间的周向配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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