[发明专利]气体处理装置和气体处理方法

说明书

本发明提供一种气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置包括：将处理气体以喷淋状喷出到基板(W)的气体扩散板(35)；设置在气体扩散板的上方侧，沿着周向分别形成有多个气体排出口(43)的多个气体分散部(41)；和上游侧形成各气体分散部共用的共用流路，下游侧与各气体分散部连接，并且从共用流路至各气体分散部(41)的长度相互一致的处理气体的流路(5)。气体分散部(41)俯视时沿着中心分别绕该扩散空间(36)的中心部设置且沿扩散空间(36)的周向设置的多个第一圆配置，且在每一个第一圆上以与扩散空间的中心部的距离相互不同的方式配置有多个。由此，能够在该基板的面内进行均匀性高的处理。

技术领域

本发明涉及对基板供给处理气体来进行处理的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，对作为基板的半导体晶片(以下记为晶片)进行基于ALD(Atomic Layer Deposition)、CVD(Chemical Vapor Deposition)等的成膜处理。一般来说，在该成膜处理中，要求在晶片面内以具有均匀性高的膜厚的方式成膜。例如在专利文献1中记载有一种成膜装置，其包括：与基板相对的喷淋头；在该喷淋头的上方隔着成膜气体的扩散空间与喷淋头相对的顶板部件；在该顶板部件沿俯视时的以扩散空间的中心为中心的同心圆设置的多个气体分散部，上述气体分散部为了能够均匀性高地对晶片进行成膜处理，设置有该成膜气体的排出口以使成膜气体在横向上分散。

但是，因半导体装置的配线的精细化的要求，正在研究对该晶片进行均匀性更高的成膜处理。另外，在专利文献2中记载有：在对晶片供给溶剂的蒸汽的处理装置中，使流路形成为决定比赛的组合的图线状，从各气体喷出孔同时排出气体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-117933号公报

专利文献2：日本特开2014-57047号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种对基板供给处理气体，在该基板的面内进行均匀性高的处理的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的气体处理装置，其对真空气氛的处理室内的基板供给处理气体来进行处理，上述气体处理装置的特征在于，包括：

设置在上述处理室中的用于载置上述基板的载置部；

气体扩散板，其构成位于上述载置部的上方侧的顶部，形成有用于将上述处理气体以喷淋状喷出的多个气体喷出孔；

多个气体分散部，其在上述气体扩散板的上方侧设置在隔着上述处理气体的扩散空间与上述气体扩散板相对的相对部，且为了使上述处理气体在横向上分散于上述扩散空间中而沿周向分别形成有多个气体排出口；和

上述处理气体的流路，其上游侧形成各上述气体分散部共用的共用流路，中途分支成多个流路，下游侧与各该气体分散部连接，并且从上述共用流路至各气体分散部的长度相互一致，

上述气体分散部以如下布局配置：在俯视上述扩散空间时，上述气体分散部沿着多个第一圆配置，且在每一个上述第一圆上以上述气体分散部与上述扩散空间的中心部的距离相互不同的方式配置有多个，其中，上述多个第一圆的中心分别绕该扩散空间的中心部设置，且上述多个第一圆沿着上述扩散空间的周向配置。

本发明的气体处理方法，其对真空气氛的处理室内的基板供给处理气体来进行处理，上述气体处理方法的特征在于，包括：

在设置于上述处理室中的载置部载置上述基板的步骤；