[发明专利]一种去除二氧化硅颗粒的抛光液在审
| 申请号： | 201711391805.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108102554A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨三贵;刘治州;康徐芳 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，通过该抛光可以达到清洗去除碳化硅衬底表面颗粒的目的。所述抛光液包括两种成分，其中，成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液；成分二为去离子水。本发明的抛光液不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度，同时不产生任何划痕。通过它不仅能去除衬底表面的二氧化硅颗粒，同时也能去除其他顽固残留的颗粒。加工后的衬底表面，经原子力显微镜检测，粗糙度可稳定达到＜0.1nm；经光学表面分析仪检测，衬底有效面积在99％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 衬底表面 抛光液 二氧化硅颗粒 粗糙度 碳化硅 衬底 非离子性表面活性剂 二丙二醇甲醚 原子力显微镜 丙二醇甲醚 分析仪检测 光学表面 去离子水 有效面积 抛光 混合液 异丙醇 乙醇 划痕 清洗 残留 检测 加工 | ||
【主权项】：
1.一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，其特征在于，所述抛光液包括两种成分，其中，成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液；成分二为去离子水。
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