[发明专利]一种去除二氧化硅颗粒的抛光液在审
申请号: | 201711391805.3 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108102554A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 杨三贵;刘治州;康徐芳 | 申请(专利权)人: | 北京世纪金光半导体有限公司 |
主分类号: | C09G1/18 | 分类号: | C09G1/18 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 张宇锋 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 衬底表面 抛光液 二氧化硅颗粒 粗糙度 碳化硅 衬底 非离子性表面活性剂 二丙二醇甲醚 原子力显微镜 丙二醇甲醚 分析仪检测 光学表面 去离子水 有效面积 抛光 混合液 异丙醇 乙醇 划痕 清洗 残留 检测 加工 | ||
1.一种去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述抛光液包括两种成分,其中,成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液;成分二为去离子水。
2.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述抛光液中所述成分一的体积比为8~25%;成分二75~92%。
3.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述成分一中所述异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为2~5%、5~10%、5~10%、15~20%、>58%和3~5%。
4.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述成分一的PH值为13.0~14.0。
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