[发明专利]一种触媒型高纯氧化锗生产方法在审
| 申请号： | 201711389191.5 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107935028A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 唐安泰;李建平;孙辉 | 申请（专利权）人： | 昆明汇泉高纯半导材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650300 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于，包括对锗精矿加入浓盐酸制备四氯化锗，用氯化氢作为保护气采用精馏塔对四氯化锗进行蒸馏提纯，对提纯后的四氯化锗进行二次蒸馏提纯，进一步提高四氯化锗的浓度，四氯化锗在低温条件下通过带搅拌装置的全封闭水解釜中进行水解，对水解产物洗涤，洗涤完成后静置澄清，采用真空过滤，对真空过滤后的二氧化锗进行二次洗涤、澄清、过滤，对过滤后的二氧化锗进行真空干燥，干燥后进行粉碎包装，得到触媒型高纯二氧化锗，通过在低温环境下对四氯化锗进行水解反应，反应后生成的二氧化锗具有一定的溶解性，能溶解在水中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 触媒 高纯 氧化 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于，包括：1）、对锗精矿加入浓盐酸制备四氯化锗，用氯化氢作为保护气采用精馏塔对四氯化锗进行蒸馏提纯，对提纯后的四氯化锗进行二次蒸馏提纯，进一步提高四氯化锗的浓度；2）、四氯化锗在低温条件下通过带搅拌装置的全封闭水解釜中进行水解，对水解产物洗涤，洗涤完成后静置澄清，采用真空过滤；3）、对真空过滤后的二氧化锗进行二次洗涤、澄清、过滤，对过滤后的二氧化锗进行真空干燥，干燥后进行粉碎包装，得到触媒型高纯二氧化锗。
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