[发明专利]一种触媒型高纯氧化锗生产方法在审
| 申请号： | 201711389191.5 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107935028A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 唐安泰;李建平;孙辉 | 申请（专利权）人： | 昆明汇泉高纯半导材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650300 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 触媒 高纯 氧化 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于，包括：
1）、对锗精矿加入浓盐酸制备四氯化锗，用氯化氢作为保护气采用精馏塔对四氯化锗进行蒸馏提纯，对提纯后的四氯化锗进行二次蒸馏提纯，进一步提高四氯化锗的浓度；
2）、四氯化锗在低温条件下通过带搅拌装置的全封闭水解釜中进行水解，对水解产物洗涤，洗涤完成后静置澄清，采用真空过滤；
3）、对真空过滤后的二氧化锗进行二次洗涤、澄清、过滤，对过滤后的二氧化锗进行真空干燥，干燥后进行粉碎包装，得到触媒型高纯二氧化锗。
2.根据权利要求1所述一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于：所述水解反应温度控制在1-10℃。
3.根据权利要求1所述一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于：所述四氯化锗精馏提纯温度84-86℃。
4.根据权利要求1所述一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于：所述澄清时间为24小时。
5.根据权利要求1所述一种触媒型高纯氧化锗生产方法，其特征在于：所述水解反应纯水采用两次加入，第二次加入量是第一次加入量的两倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明汇泉高纯半导材料有限公司，未经昆明汇泉高纯半导材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711389191.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废粉或粉末填满检测视窗
- 下一篇：一种装饰原纸钛白粉生产原料的净化方法
