[发明专利]一种集成电路硅片的分割方法在审

专利信息
申请号: 201711378904.8 申请日: 2017-12-19
公开(公告)号: CN108054111A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 白涛;安鑫鑫 申请(专利权)人: 大连鑫鑫创世科技发展有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 杨威;涂文诗
地址: 116000 辽宁省大连市高新*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种集成电路硅片的分割方法,包括以下步骤:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中,检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片,厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割,倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置。本发明方便调整加工参数,有利于提高工作效率,更加方便生产作业,有利于提高产品合格率,避免频繁调整加工参数,减少机器磨损,有利于提高设备使用寿命,节约使用成本。
搜索关键词: 一种 集成电路 硅片 分割 方法
【主权项】:
1.一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中;S2:检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;S3:厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割;S4:倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置;S5:检测裂纹,通过超声波裂纹检测装置对倒角处理后的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;S6:腐蚀,对通过检测裂纹的硅片进行腐蚀处理,并按照不同厚度分类放置;S7:清洗,对腐蚀后的硅片进行清洗,并按照厚度分类放置;S8:抛光,通过硅片抛光机对完成清洗的硅片进行抛光,并根据不同厚度调整抛光量;S9:裂纹复检,通过超声波裂纹检测装置对经过抛光的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片。
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