[发明专利]一种集成电路硅片的分割方法在审

专利信息
申请号: 201711378904.8 申请日: 2017-12-19
公开(公告)号: CN108054111A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 白涛;安鑫鑫 申请(专利权)人: 大连鑫鑫创世科技发展有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 杨威;涂文诗
地址: 116000 辽宁省大连市高新*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 硅片 分割 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中;

S2:检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;

S3:厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割;

S4:倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置;

S5:检测裂纹,通过超声波裂纹检测装置对倒角处理后的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;

S6:腐蚀,对通过检测裂纹的硅片进行腐蚀处理,并按照不同厚度分类放置;

S7:清洗,对腐蚀后的硅片进行清洗,并按照厚度分类放置;

S8:抛光,通过硅片抛光机对完成清洗的硅片进行抛光,并根据不同厚度调整抛光量;

S9:裂纹复检,通过超声波裂纹检测装置对经过抛光的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S2中将不合格的硅片放置在废料框中,并进行标记记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S3中将不同厚度的硅片,按照不同的厚度区间分类放置到不同的物料周转筐中,并在周转筐上作出标记。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S4中倒角处理厚度的硅片,进行外观筛分,将外观有明显瑕疵的硅片放置到倒角工段不合格品放置框中,进行记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S6先对硅片划片槽内的介质材料进行蚀刻,再将硅片划片槽内的硅材料蚀刻掉,将腐蚀完成的硅片放置到周转筐中,输送到清洗工段,记录好批次。

6.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S7中针对硅片上的杂质依次进行去分子、去离子、去原子清洗,最后通过去离子水进行冲洗,对于有氧化层的硅片,通过稀氢氟酸浸泡去除氧化层。

7.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S8将不同厚度分类的硅片分批次进行抛光作业,并调节不同的抛光量,记录批次和抛光量。

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