[发明专利]一种集成电路硅片的分割方法在审
申请号: | 201711378904.8 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108054111A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 白涛;安鑫鑫 | 申请(专利权)人: | 大连鑫鑫创世科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 | 代理人: | 杨威;涂文诗 |
地址: | 116000 辽宁省大连市高新*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 硅片 分割 方法 | ||
1.一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中;
S2:检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S3:厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割;
S4:倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置;
S5:检测裂纹,通过超声波裂纹检测装置对倒角处理后的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S6:腐蚀,对通过检测裂纹的硅片进行腐蚀处理,并按照不同厚度分类放置;
S7:清洗,对腐蚀后的硅片进行清洗,并按照厚度分类放置;
S8:抛光,通过硅片抛光机对完成清洗的硅片进行抛光,并根据不同厚度调整抛光量;
S9:裂纹复检,通过超声波裂纹检测装置对经过抛光的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S2中将不合格的硅片放置在废料框中,并进行标记记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S3中将不同厚度的硅片,按照不同的厚度区间分类放置到不同的物料周转筐中,并在周转筐上作出标记。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S4中倒角处理厚度的硅片,进行外观筛分,将外观有明显瑕疵的硅片放置到倒角工段不合格品放置框中,进行记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S6先对硅片划片槽内的介质材料进行蚀刻,再将硅片划片槽内的硅材料蚀刻掉,将腐蚀完成的硅片放置到周转筐中,输送到清洗工段,记录好批次。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S7中针对硅片上的杂质依次进行去分子、去离子、去原子清洗,最后通过去离子水进行冲洗,对于有氧化层的硅片,通过稀氢氟酸浸泡去除氧化层。
7.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S8将不同厚度分类的硅片分批次进行抛光作业,并调节不同的抛光量,记录批次和抛光量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造