[发明专利]微图案、电容器、半导体器件和电子系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201711374869.2 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206134B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 河淳穆;金载熙;黄灿;金钟赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成微图案的方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成凹槽图案；在凹槽图案中形成导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得导体图案的上部分突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除相分离的所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层以在与已去除的嵌段部分中的每个对应的位置处暴露模层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 电容器 半导体器件 电子 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成微图案的方法，所述方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化所述模层和所述支撑材料层以形成多个凹槽图案；在所述多个凹槽图案中形成多个导体图案；去除所述支撑材料层的上部分以使得所述多个导体图案的上部分在所述支撑材料层之上突出；在所述支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理所述嵌段共聚物层以将所述嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除所述多个嵌段部分中的一些；以及去除所述支撑材料层的一部分以在与所述多个嵌段部分中的所述一些的每个对应的位置处暴露所述模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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