[发明专利]微图案、电容器、半导体器件和电子系统及其制造方法

权利要求书

1.一种形成微图案的方法，所述方法包括：

在基板上形成模层和支撑材料层；

图案化所述模层和所述支撑材料层以形成多个凹槽图案；

在所述多个凹槽图案中形成多个导体图案；

去除所述支撑材料层的上部分以使得所述多个导体图案的上部分在所述支撑材料层之上突出，所述多个导体图案形成在连续的等边三角形的顶点的位置处；

在所述支撑材料层上形成嵌段共聚物层；

处理所述嵌段共聚物层以将所述嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；

选择性地去除所述多个嵌段部分中的一些；以及

去除所述支撑材料层的一部分以在与所述多个嵌段部分中的所述一些的每个对应的位置处形成暴露所述模层的通孔，

所述通孔在与相应的等边三角形的质心对应的位置处，所述多个导体图案不接触所述通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除支撑材料层之后，通过已经从其去除了所述支撑材料层的所述部分去除所述模层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

所述处理处理所述嵌段共聚物层以将其相分离成包括多个第一嵌段部分和多个第二嵌段部分的所述多个嵌段部分，所述多个第二嵌段部分具有柱型以使得所述多个第一嵌段部分的每个在所述多个第二嵌段部分之一与所述多个导体图案之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述处理包括在相应的等边三角形的质心处提供所述多个第二嵌段部分的每个。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述处理包括将所述多个第二嵌段部分之一的中心与所述多个导体图案中最邻近的导体图案的中心之间的距离限定为10nm至50nm。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述处理包括在所述多个导体图案之间提供所述多个第二嵌段部分的每个。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个导体图案具有柱型。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在去除所述支撑材料层的上部分与形成嵌段共聚物层之间，共形地形成无机掩模材料层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个导体图案的高宽比是10至40。

10.一种制造电容器的方法，所述方法包括：

在半导体基板上形成模层和支撑材料层；

图案化所述模层和所述支撑材料层以形成暴露所述半导体基板的上表面的多个凹槽图案；

在所述多个凹槽图案中形成多个底部电极；

去除所述支撑材料层的上部分以使得所述多个底部电极的每个的上部分在所述支撑材料层之上突出，所述多个底部电极形成在连续的等边三角形的顶点的位置处；

在所述支撑材料层上形成嵌段共聚物层；

处理所述嵌段共聚物层以将所述嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；

选择性地去除所述多个嵌段部分中的一些；

去除所述支撑材料层的一部分以在与所述多个嵌段部分中的所述一些的每个对应的位置处形成暴露所述模层的通孔；

通过已经从其去除了所述支撑材料层的所述部分去除所述模层；

在所述多个底部电极的每个的表面上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成顶部电极，

所述通孔在与相应的等边三角形的质心对应的位置处，所述多个底部电极不接触所述通孔。

11.根据权利要求10所述的方法，其中

所述处理处理所述嵌段共聚物层以将其相分离成包括多个第一嵌段部分和具有柱型的多个第二嵌段部分的所述多个嵌段部分，以使得所述多个第一嵌段部分的每个在所述多个第二嵌段部分之一与所述多个底部电极之间。