[发明专利]微图案、电容器、半导体器件和电子系统及其制造方法

说明书

一种形成微图案的方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成凹槽图案；在凹槽图案中形成导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得导体图案的上部分突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除相分离的所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层以在与已去除的嵌段部分中的每个对应的位置处暴露模层。

技术领域

本发明构思的一些示例实施方式涉及微图案形成方法、电容器和/或制造该电容器的方法、半导体器件和/或制造该半导体器件的方法、和/或包括该半导体器件的电子系统，更具体而言，涉及用于以低成本通过相对简单的工艺获得精确的微图案的微图案形成方法、电容器和/或制造该电容器的方法、半导体器件和/或制造该半导体器件的方法、和/或包括该半导体器件的电子系统。

背景技术

随着半导体技术的进步，正在不断需要微型化或小型化图案用于更高集成度。为了在有限的区域内集成更多的器件，各个器件的尺寸应该被尽可能小地形成。然而，由于光刻工艺的分辨率限制，难以形成微图案，并且需要昂贵的设备来通过光刻工艺实现更小的微图案。已经提出了双图案化技术作为在不执行光刻工艺的情况下实现微图案的方法。然而，在双图案化技术中，工艺复杂，并且制造时间长。因此，期望一种以相对低的成本通过更简单的工艺形成微图案而不用执行额外的光刻工艺的方法。

发明内容

本发明构思的一些示例实施方式提供用于以相对低的成本通过相对简单的工艺获得精确的微图案的微图案形成方法。

本发明构思的一些示例实施方式提供使用微图案形成方法的电容器制造方法。

本发明构思的一些示例实施方式提供使用微图案形成方法的半导体器件制造方法。

本发明构思的一些示例实施方式提供通过应用微图案形成方法制造的电容器。

本发明构思的一些示例实施方式提供通过应用微图案形成方法制造的半导体器件。

本发明构思的一些示例实施方式提供包括所述半导体器件的电子系统。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种形成微图案的方法可以包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成多个凹槽图案；在所述多个凹槽图案中形成多个导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得所述多个导体图案的上部分在支撑材料层之上突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层的一部分以在与所述多个嵌段部分中的所述一些的每个对应的位置处暴露模层。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种制造电容器的方法可以包括：在半导体基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成暴露半导体基板的上表面的多个凹槽图案；在凹槽图案中形成多个底部电极；去除支撑材料层的上部分以使得所述多个底部电极的每个的上部分在支撑材料层之上突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除所述多个嵌段部分中的一些；去除支撑材料层的一部分以在与所述多个嵌段部分中的所述一些的每个对应的位置处暴露模层；通过已经从其去除了支撑材料层的所述部分去除模层；在所述多个底部电极的每个的表面上形成电介质层；以及在电介质层上形成顶部电极。