[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201711364194.3 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108269944A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 曹旻求;金镀振;金美爱 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 穆云丽;杜诚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种显示装置。该显示装置包括：包括第一子像素至第四子像素的基板；位于基板上的第一缓冲层，第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管。第一子像素至第四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分。非发光部分中的硅氮化物层的厚度大于发光部分中的硅氮化物层的厚度。根据本公开的至少一方面，可以提高显示装置的透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 子像素 硅氮化物 发光 缓冲层 基板 有机发光二极管 薄膜晶体管 硅氧化物层 透光率 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：基板，其包括在所述基板上限定的第一子像素至第四子像素；位于所述基板上的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于所述第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管，其中，所述第一子像素至第四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分，并且其中，所述非发光部分中的所述硅氮化物层的厚度大于所述发光部分中的所述硅氮化物层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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