[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201711364194.3 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108269944A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 曹旻求;金镀振;金美爱 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 穆云丽;杜诚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 子像素 硅氮化物 发光 缓冲层 基板 有机发光二极管 薄膜晶体管 硅氧化物层 透光率 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,其包括在所述基板上限定的第一子像素至第四子像素,所述第一子像素至第所述四子像素包括红色子像素、白色子像素、蓝色子像素和绿色子像素;
位于所述基板上的第一缓冲层,所述第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层;以及
位于所述第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管,
其中,所述第一子像素至第所述四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分,并且
其中,所述蓝色子像素的所述发光部分中的所述硅氮化物层的厚度小于所述白色子像素、所述红色子像素和所述绿色子像素的所述发光部分中的所述硅氮化物层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子像素是所述红色子像素,所述第二子像素是所述白色子像素,所述第三子像素是所述蓝色子像素,并且所述第四子像素是所述绿色子像素。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述硅氧化物层的厚度为至
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非发光部分中的所述硅氮化物层的厚度为至
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第四子像素中的每个子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度根据所述硅氮化物层透射的光的波长和所述硅氮化物层的透射率来确定。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至
其中,所述第二子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至
其中,所述第三子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至并且
其中,所述第四子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一缓冲层包括在所述基板上的所述硅氮化物层和在所述硅氮化物层上的所述硅氧化物层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层,并且
其中,所述第一缓冲层包括在所述基板上的所述第一硅氮化物层、在所述第一硅氮化物层上的所述硅氧化物层以及在所述硅氧化物层上的所述第二硅氮化物层。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层,并且所述硅氧化物层包括第一硅氧化物层和第二硅氧化物层,并且
其中,所述第一缓冲层包括在所述基板上的所述第一硅氮化物层、在所述第一硅氮化物层上的所述第一硅氧化物层、在所述第一硅氧化物层上的所述第二硅氮化物层以及在所述第二硅氮化物层上的所述第二硅氧化物层。
10.根据权利要求8或9所述的显示装置,其中,所述发光部分中的所述硅氮化物层的厚度等于所述第一硅氮化物层的厚度与所述第二硅氮化物层的厚度之和。
11.根据权利要求1所述的显示装置,还包括在所述第一缓冲层与所述薄膜晶体管之间的第二缓冲层。
12.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于所述第一缓冲层上的遮光层。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述遮光层被形成为对应于所述薄膜晶体管的沟道区。
14.一种显示装置,包括:
在基板上限定的第一子像素至第四子像素,并且各个子像素分别具有红色、白色、蓝色和绿色的发光部分和非发光部分;以及
第一缓冲层,其设置在所述基板上并包括硅氮化物层,
其中,对应于蓝色发光部分的所述硅氮化物层的厚度小于对应于红色发光部分、白色发光部分和绿色发光部分的所述硅氮化物层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择