[发明专利]显示装置

说明书

公开了一种显示装置。该显示装置包括：包括第一子像素至第四子像素的基板；位于基板上的第一缓冲层，第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管。第一子像素至第四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分。非发光部分中的硅氮化物层的厚度大于发光部分中的硅氮化物层的厚度。根据本公开的至少一方面，可以提高显示装置的透光率。

技术领域

本公开内容涉及一种显示装置。尽管本公开内容适合用于广泛的应用范围，但其特别适合用于防止光损失，从而提高显示装置的透光率。

背景技术

已经使用各种类型的平板显示器(FPD)来代替较重且较大的阴极射线管(CRT)。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示器。其中，OLED显示器是通过激发有机化合物来发光的自发光显示装置。OLED显示器不需要在液晶显示器中所需的背光单元，因此外形薄、重量轻并且制造过程简单。OLED显示器也可以在低温下制造，并具有包括如下的特性：1ms或更短的快速响应时间、低功耗、宽视角、高对比度等。

此外，OLED显示器包括在用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间由有机材料形成的发光层。OLED显示器在发光层内通过将从第一电极接收到的空穴与从第二电极接收到的电子结合来形成空穴-电子对(即，激子)，并且通过在激子返回至基态(groundlevel)时产生的能量而发光。根据从OLED装置发射的光的方向，OLED显示器通常被分类为底部发光OLED显示器和顶部发光OLED显示器。底部发光OLED显示器沿朝向基板的向下方向(即，从发光层到第一电极的方向)发光。顶部发光OLED显示器沿离开基板的向上方向(即，从发光层到第二电极的方向)发光。

在底部发光OLED显示器中，从发光层发射的光被多个层透射并被发射到外部。交替地层叠硅氧化物层和硅氮化物层的多缓冲层直接位于OLED显示器的基板上。硅氮化物层具有约1.9至2.0的高折射率，因此具有在硅氮化物层与硅氧化物层之间的界面处发生光损失的问题。

发明内容

本公开内容提供了一种能够通过防止光损失来增加透光率的显示装置。

在一个方面，提供了一种显示装置，其包括：包括第一子像素至第四子像素的基板；位于基板上的第一缓冲层，第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管，其中，第一子像素至第四子像素中的每一个子像素均包括发光部分和非发光部分，并且其中，非发光部分中的硅氮化物层的厚度大于发光部分中的硅氮化物层的厚度。

第一子像素是红色子像素，第二子像素是白色子像素，第三子像素是蓝色子像素，并且第四子像素是绿色子像素。

硅氧化物层的厚度为至

非发光部分中的硅氮化物层的厚度为至

蓝色子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度小于白色子像素、红色子像素和绿色子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度。

第一子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至第二子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至第三子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至并且第四子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至

第一缓冲层包括在基板上的硅氮化物层和在硅氮化物层上的硅氧化物层。

硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层。第一缓冲层包括在基板上的第一硅氮化物层、在第一硅氮化物层上的硅氧化物层以及在硅氧化物层上的第二硅氮化物层。

硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层，并且硅氧化物层包括第一硅氧化物层和第二硅氧化物层。第一缓冲层包括在基板上的第一硅氮化物层、在第一硅氮化物层上的第一硅氧化物层、在第一硅氧化物层上的第二硅氮化物层以及在第二硅氮化物层上的第二硅氧化物层。