[发明专利]一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法，包括在氮化硅的正面形成绒面；在正面进行扩散，形成N型发射极；去除扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结，对背面抛光；在正面沉积氧化硅膜并退火；在正面沉积氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜；或者在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，再在正面沉积氮化硅膜；在背面开设开槽，开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜；在背面印刷背电极浆料并烘干；在背面印刷铝浆并烘干；在正面印刷正电极浆料；高温烧结，形成背银电极、全铝背场和正银电极，全铝背场位于开槽内部分与氮化硅相连；本发明可提高电池的开路电压和短路电流，提升电池的光电转换效率。

主权项

1.一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：在氮化硅的正面形成绒面；所得产品的正面进行扩散，形成N型发射极；所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结；所得产品的背面进行抛光；所得产品的正面上沉积氧化硅膜并退火；所得产品的正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜；背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜，再在正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜；所得产品的背面上开设开槽，开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜；所得产品的背面印刷背电极浆料并烘干；所得产品的背面印刷铝浆并烘干；所得产品的正面印刷正电极浆料；所得产品进行高温烧结，形成背银电极、全铝背场和正银电极，全铝背场位于开槽内的部分与氮化硅相连；所得产品进行抗LID退火即得。