[发明专利]一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：在氮化硅的正面形成绒面；所得产品的正面进行扩散，形成N型发射极；所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结；所得产品的背面进行抛光；所得产品的正面上沉积氧化硅膜并退火；所得产品的正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜；背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜，再在正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜；所得产品的背面上开设开槽，开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜；所得产品的背面印刷背电极浆料并烘干；所得产品的背面印刷铝浆并烘干；所得产品的正面印刷正电极浆料；所得产品进行高温烧结，形成背银电极、全铝背场和正银电极，全铝背场位于开槽内的部分与氮化硅相连；所得产品进行抗LID退火即得。

2.一种由权利要求1所述新型氮化硅太阳能电池的制备方法制得的氮化硅太阳能电池，包括从下至上依次设置的背银电极、全铝背场、背面氮化硅膜、氧化铝膜、氮化硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极，在所述背面氮化硅膜上开有贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽，所述氮化硅露于所述开槽中，全铝背场位于开槽内的部分与所述氮化硅相连，其特征在于：在所述N型发射极和正面氮化硅膜之间增设有氧化硅膜。

3.根据权利要求4所述的氮化硅太阳能电池，其特征在于：所述正面氧化硅膜的厚度为5～500nm。

4.根据权利要求5所述的氮化硅太阳能电池，其特征在于：所述背面氮化硅膜的厚度为50～500nm。

5.根据权利要求6所述的氮化硅太阳能电池，其特征在于：所述氧化铝膜的厚度为2～50nm。