[发明专利]一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法

说明书

本发明公开了一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法，包括在氮化硅的正面形成绒面；在正面进行扩散，形成N型发射极；去除扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结，对背面抛光；在正面沉积氧化硅膜并退火；在正面沉积氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜；或者在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，再在正面沉积氮化硅膜；在背面开设开槽，开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜；在背面印刷背电极浆料并烘干；在背面印刷铝浆并烘干；在正面印刷正电极浆料；高温烧结，形成背银电极、全铝背场和正银电极，全铝背场位于开槽内部分与氮化硅相连；本发明可提高电池的开路电压和短路电流，提升电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时，会形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。

传统的晶硅太阳能电池一般只采用正面钝化技术，在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究氮化硅背钝化太阳电池技术。但是，具体如何提高氮化硅太阳能电池的光电转换效率是目前业界亟待解决的技术难题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了提供了一种能够大幅度提高电池的光电转换效率、成本低、工艺简单且与传统生产线兼容性好的新型氮化硅太阳能电池的制备方法。

本发明的第二个目的在于提供一种由上述新型氮化硅太阳能电池的制备方法制得的氮化硅太阳能电池。

本发明的第一个目的通过如下的技术方案来实现：一种氮化硅太阳能电池的制备方法，其特征在于具体包括以下步骤：

⑴在氮化硅的正面形成绒面；

⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散，形成N型发射极；

⑶去除由步骤⑵所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结；

⑷对由步骤⑶所得产品的背面进行抛光；

⑸在由步骤⑷所得产品的正面上沉积氧化硅膜并退火；

⑹在由步骤⑸所得产品的正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜；或者在由步骤⑸所得产品的背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜，再在正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜；

⑺在由步骤⑹所得产品的背面上开设开槽，开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜；

⑻在由步骤⑺所得产品的背面印刷背电极浆料并烘干；

⑼在由步骤⑻所得产品的背面印刷铝浆并烘干；

⑽在由步骤⑼所得产品的正面印刷正电极浆料；

⑾对由步骤⑽所得产品进行高温烧结，形成背银电极、全铝背场和正银电极，全铝背场位于开槽内的部分与氮化硅相连；

⑿对由步骤⑾所得产品进行抗LID退火即得。