[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

摘要

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^‑、Br^‑、I^‑、CN^‑、SCN^‑、HS^‑、NH₄⁺、S^2‑、S₂O₃^2‑、NO₃^‑、NO₂^‑、SO₄^2‑、SO₃^2‑、PO₄^3‑中的至少一种。本发明提供的量子点薄膜，其量子点表面连接有无机配体，无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率，提高其整体性能。

主权项

1.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^‑、Br^‑、I^‑、CN^‑、SCN^‑、HS^‑、NH₄⁺、S^2‑、S₂O₃^2‑、NO₃^‑、NO₂^‑、SO₄^2‑、SO₃^2‑、PO₄^3‑中的至少一种。