[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^‑、Br^‑、I^‑、CN^‑、SCN^‑、HS^‑、NH₄⁺、S^2‑、S₂O₃^2‑、NO₃^‑、NO₂^‑、SO₄^2‑、SO₃^2‑、PO₄^3‑中的至少一种。本发明提供的量子点薄膜，其量子点表面连接有无机配体，无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率，提高其整体性能。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dot)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1～100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，同时具有单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。

目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层(如ZnO)，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，同时与其下方的空穴传输层之间紧密度低，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀，以及器件发光不均匀；即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点薄膜制备过程中量子点成膜后量子点颗粒之间的连接不紧密，膜层相对松散、不均匀，致使发光不均匀的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^-、Br^-、I^-、CN^-、SCN^-、HS^-、NH₄⁺、S^2-、S₂O₃^2-、NO₃^-、NO₂^-、SO₄^2-、SO₃^2-、PO₄^3-中的至少一种。