[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^-、Br^-、I^-、CN^-、SCN^-、HS^-、NH₄⁺、S^2-、S₂O₃^2-、NO₃^-、NO₂^-、SO₄^2-、SO₃^2-、PO₄^3-中的至少一种。

2.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供气态的无机原料，以及量子点预制薄膜；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入所述无机原料进行气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中的量子点表面初始配体置换为无机配体，得到所述量子点薄膜。

3.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述无机原料包括氨气、氯气、溴气、碘气、硫化氢、硫化铵、氯化氢、溴化氢、锑化氢、氯化铵、硫氰酸、硝酸、亚硝酸、硫酸、亚硫酸、硫代硫酸、磷酸、醋酸中的至少一种。

4.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述提供气态的无机原料的过程包括：将液态无机原料经蒸发或沸腾处理后得到气态的无机原料；或

将固态无机原料经升华处理或依次经液化处理、蒸发处理后得到气态的无机原料。

5.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述可密闭装置内的总压为10^-5-10³Pa，所述无机原料的分压为10^-4-10²Pa。

6.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的温度为5-200℃；和/或

所述气相配体置换的时间为0.5-360min。

7.一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层为权利要求1所述的量子点薄膜或权利要求2-6任一项所述的制备方法获得的量子点薄膜。

8.如权利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照权利要求2-6任一项所述的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求7或8所述的QLED器件。