[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711353498.X | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935736A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点预制薄膜和含有无机配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体；将所述量子点预制薄膜与所述含有无机配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述无机配体的量子点薄膜。本发明不仅能够钝化量子点表面有机配体不能钝化的地方，而且提高载流子的传输，最终提高器件整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 薄膜 制备 无机配体 预制 量子点表面 钝化 载流子 表面配体 有机配体 相配 置换 传输 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供量子点预制薄膜和含有无机配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体；将所述量子点预制薄膜与所述含有无机配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述无机配体的量子点薄膜。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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