[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜和含有无机配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体；

将所述量子点预制薄膜与所述含有无机配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述无机配体的量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述无机配体包括SnS₄^4-、Sn₂S₆^4-、SnTe₄^4-、AsS₃^3-、MoS₄^2-、In₂Se₄^2-、CN^-、SCN^-、S^2-、P^3-、F^-、Cl^-、Br^-、I^-中的至少一种。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述含有无机配体为含有如下结构式的离子化合物：

A_xB_y

其中，A包括Li⁺、Na⁺、K⁺、NH₄⁺、N₂H₅⁺、TMS²⁺中的至少一种，B为所述无机配体。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述液相配体置换后，还包括将所述量子点预制薄膜置于真空装置中进行真空处理，所述真空处理的真空度为5-20Pa。

5.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜由权利要求1-4任一项所述的制备方法获得。

6.一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层为由权利要求1-4任一项所述的制备方法获得的量子点薄膜。

7.如权利要求6所述的QLED器件，其特征在于，还包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。

8.如权利要求6或7所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照权利要求1-4任一项所述方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极，

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求6-8任一项所述的QLED器件。