[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点预制薄膜和含有无机配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体；将所述量子点预制薄膜与所述含有无机配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述无机配体的量子点薄膜。本发明不仅能够钝化量子点表面有机配体不能钝化的地方，而且提高载流子的传输，最终提高器件整体性能。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantum dots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示技术领域具有巨大的应用前景。

一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体。量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的量子点表面的配体是提高量子点膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。目前，量子点的配体绝大多数都是有机分子，其含有较长的碳链，导电率较低，在一定程度上影响器件内部载流子的传输，从而降低器件性能。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点薄膜制备过程中配体易团聚沉降、选择性受到限制，以致得到量子点薄膜均匀性不好、效率低的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜和含有无机配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体；

将所述量子点预制薄膜与所述含有无机配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述无机配体的量子点薄膜。

相应地，一种量子点薄膜，所述量子点薄膜由上述制备方法获得。

另一方面，本发明提供一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层为上述制备方法获得的量子点薄膜。

相应地，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照上述量子点薄膜的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

最好，本发明提供一种显示屏，包括上述QLED器件。