[发明专利]用于系统级封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201711352510.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108091624B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板，包括：第一TSV区(102)和第二TSV区(103)，位于Si衬底(101)内且上下贯通Si衬底(101)；第一隔离区(104)和第二隔离区(105)，位于第一TSV区(102)和第二TSV区(103)之间；三极管器件区(106)，位于第一隔离区(104)和第二隔离区(105)之间；互连线(107)，用于对第一TSV区(102)的第一端面、第二TSV区(103)的第一端面和三极管进行串行连接；金属凸点(108)，位于第一TSV区(102)的第二端面和第二TSV区(103)的第二端面之上。本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置三极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 系统 封装 硅通孔 转接 | ||
【主权项】：
1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；第一TSV区(102)和第二TSV区(103)，位于所述Si衬底(101)内且上下贯通所述Si衬底(101)；第一隔离区(104)和第二隔离区(105)，位于所述第一TSV区(102)和所述第二TSV区(103)之间；三极管器件区(106)，位于所述第一隔离区(104)和所述第二隔离区(105)之间；第一互连线(1071)和第二互连线(1072)，设置于所述第一TSV区(102)的第一端面、所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管器件区(106)上，用于连接所述第一TSV区(102)的第一端面、所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管器件区(106)；金属凸点(108)，设置于所述第一TSV区(102)的第二端面和所述第二TSV区(103)的第二端面之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江清华柔性电子技术研究院，未经浙江清华柔性电子技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711352510.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于BJT的系统级封装抗静电转接板
- 下一篇：大功率负载芯片
