[发明专利]用于系统级封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201711352510.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108091624B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 系统 封装 硅通孔 转接 | ||
1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
第一TSV区(102)和第二TSV区(103)，位于所述Si衬底(101)内且上下贯通所述Si衬底(101)；
第一隔离区(104)和第二隔离区(105)，位于所述第一TSV区(102)和所述第二TSV区(103)之间；
三极管器件区(106)，位于所述第一隔离区(104)和所述第二隔离区(105)之间；
第一互连线(1071)和第二互连线(1072)，设置于所述第一TSV区(102)的第一端面、所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管器件区(106)上，用于连接所述第一TSV区(102)的第一端面、所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管器件区(106)；
金属凸点(108)，设置于所述第一TSV区(102)的第二端面和所述第二TSV区(103)的第二端面之上；
所述第一TSV区(102)、所述第二TSV区(103)、所述第一隔离区(104)以及所述第二隔离区(105)的深度相等，为80～120μm；
所述第一TSV区(102)、所述第二TSV区(103)内填充有多晶硅，多晶硅掺杂浓度为2×1021cm-3；掺杂材料为磷；
所述第一隔离区(104)以及所述第二隔离区(105)内填充有SiO2。
2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述三极管器件区(106)包括：器件沟槽(1061)、三极管的埋层(1062)、三极管的集电极接触区(1063)、三极管的基区接触区(1064)和三极管的发射区(1065)；其中，所述三极管的埋层(1062)位于所述器件沟槽(1061)下端；所述三极管的集电极接触区(1063)、所述三极管的基区接触区(1064)和所述三极管的发射区(1065)位于所述器件沟槽(1061)内。
3.根据权利要求2所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一TSV区(102)的第一端面与所述三极管的基区接触区(1064)和所述三极管的发射区(1065)通过所述第一互连线(1071)连接；所述第二TSV区(103)的第一端面与所述三极管的集电极接触区(1063)通过所述第二互连线(1072)连接。
4.根据权利要求3所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一TSV区(102)的第一端面、所述三极管的基区接触区(1064)和所述三极管的发射区(1065)与所述第一互连线(1071)之间设置有钨插塞；所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管的集电极接触区(1063)与所述第二互连线(1072)之间均设置有钨插塞。
5.根据权利要求4所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一互连线(1071)和所述第二互连线(1072)的材料为铜。
6.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一TSV区(102)的第二端面和所述第二TSV区(103)的第二端面上依次设置有钨插塞和金属凸点(108)。
7.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述硅通孔转接板还包括设置于所述Si衬底(101)表面的SiO2绝缘层。
8.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述Si衬底(101)的掺杂类型为N型，掺杂浓度为1×1015cm-3，厚度为80～120μm。
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