[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711351482.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935713A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;梁柱荣;杨一行;向超宇;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/02 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。所述量子点薄膜中的量子点表面结合有如下结构通式的共轭配体：X1‑R‑X2；其中，X1和X2为可与量子点表面结合的官能团；R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物。本发明提供的量子点薄膜，其量子点表面连接特有的共轭配体，该共轭配体将量子点交联，使量子点的溶解性、分散性与其导电能力达到更好的平衡状态，进一步提高量子点薄膜的稳定性以及载流子传输能力，相应地提高发光效率，提高其整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 薄膜 制备 量子点表面 共轭配体 载流子传输能力 平板显示技术 烃基衍生物 导电能力 发光效率 共轭基团 结构通式 平衡状态 分散性 烃基 量子 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜中的量子点表面连接有如下结构通式的共轭配体：X1‑R‑X2其中，X1和X2为可与量子点表面结合的官能团；R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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