[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。所述量子点薄膜中的量子点表面结合有如下结构通式的共轭配体：X₁‑R‑X₂；其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团；R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物。本发明提供的量子点薄膜，其量子点表面连接特有的共轭配体，该共轭配体将量子点交联，使量子点的溶解性、分散性与其导电能力达到更好的平衡状态，进一步提高量子点薄膜的稳定性以及载流子传输能力，相应地提高发光效率，提高其整体性能。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dot)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1～100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，同时具有单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。

目前，在QLED的制备技术中，量子点表面一般含有丰富的配体，其作用一方面是钝化其表面缺陷；另一方面是维持量子点的稳定、防止量子点之间的团聚，提高其溶解性。如果使用长链的有机配体，量子点的溶解和分散性更好，但同时其导电能力也降低；如果使用短链的有机配体，虽然可以提高其导电能力，但其溶解和分散性大大降低，造成量子点容易发生团聚。为了达到这两者的平衡，合理的设计和选用配体对量子点材料性能和QLED器件性能有重要影响。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点薄膜制备过程中，量子点的溶解和分散性与其导电能力难以达到平衡的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜中的量子点表面连接有如下结构通式的共轭配体：

X₁-R-X₂

其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团；R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物。

相应地，一种量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：

提供量子点预制薄膜和气态的共轭配体，所述共轭配体的结构通式为：X₁-R-X₂；

其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入所述共轭配体进行气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中的量子点表面初始配体置换为所述共轭配体，得到所述量子点薄膜。

本发明另一方面提供一种QLED器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层为上述制备方法获得的量子点薄膜。

相应地，上述QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照上述所述量子点薄膜的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；