[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜中的量子点表面连接有如下结构通式的共轭配体：

X₁-R-X₂

其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团；R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物。

2.如权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述X₁和X₂独立选自卤素原子、羟基、醚基、巯基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亚硝基、氨基、亚胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、异氰基、腙基、膦基、磷酸基、肟基、环氧基、偶氮基、乙烯基、乙炔基、芳香环基中的至少一种；和/或

所述R为包含双键和单键交替排列的线状结构和/或环状结构。

3.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供量子点预制薄膜和气态的共轭配体，所述共轭配体的结构通式为：X₁-R-X₂；

其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入所述共轭配体进行气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中的量子点表面初始配体置换为所述共轭配体，得到所述量子点薄膜。

4.如权利要求3所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述可密闭装置内的总压为10^-5-10³Pa，所述共轭配体的分压为10^-4-10²Pa。

5.如权利要求3所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，

所述气相配体置换的温度为5-200℃；和/或

所述气相配体置换的时间为0.5-360min。

6.如权利要求3所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述共轭配体中的X₁和X₂独立选自卤素原子、羟基、醚基、巯基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亚硝基、氨基、亚胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、异氰基、腙基、膦基、磷酸基、肟基、环氧基、偶氮基、乙烯基、乙炔基、芳香环基中的至少一种；和/或

所述R为包含双键和单键交替排列的线状结构和/或环状结构。

7.如权利要求3所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述提供气态的共轭配体的过程包括：将液态共轭配体经蒸发或沸腾处理后得到气态的共轭配体；或

将固态共轭配体经升华处理或依次经液化处理、蒸发处理后得到气态的共轭配体。

8.一种QLED器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层为权利要求3-7任一项所述的制备方法获得的量子点薄膜。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照权利要求3-7任一项所述的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求6-8任一项所述的QLED器件。