[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
申请号: | 201711351353.6 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935712A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 朱佩;曹蔚然 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种QLED器件,包括阳极,结合在所述阳极上的量子点发光层,结合在所述量子点发光层上的电子传输层,结合在所述电子传输层上的金属缓冲层,以及设置在所述金属缓冲层上的阴极,其中,所述电子传输层的材料为n型4H‑SiC,所述金属缓冲层的材料选自能与所述n型4H‑SiC形成欧姆接触的金属材料。 | ||
搜索关键词: | 电子传输层 金属缓冲层 阳极 发光层 量子点 阴极 金属材料 欧姆接触 制备 | ||
【主权项】:
1.一种QLED器件,其特征在于,包括阳极,结合在所述阳极上的量子点发光层,结合在所述量子点发光层上的电子传输层,结合在所述电子传输层上的金属缓冲层,以及设置在所述金属缓冲层上的阴极,其中,所述电子传输层的材料为n型4H‑SiC。
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