[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711351353.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935712A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朱佩;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子传输层 金属缓冲层 阳极 发光层 量子点 阴极 金属材料 欧姆接触 制备 | ||
1.一种QLED器件，其特征在于，包括阳极，结合在所述阳极上的量子点发光层，结合在所述量子点发光层上的电子传输层，结合在所述电子传输层上的金属缓冲层，以及设置在所述金属缓冲层上的阴极，其中，所述电子传输层的材料为n型4H-SiC。
2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述金属缓冲层的材料选自W、Cr、Ni、Ti、W、TiN、TiW、NiCr中的至少一种。
3.如权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述金属缓冲层的厚度为10-30nm。
4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为30-150nm。
5.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，在所述阳极和所述量子点发光层之间设置的空穴注入层、空穴传输层中的至少一层。
6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：
提供阳极基板，在所述阳极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备4H-SiC材料的电子传输层；
在所述电子传输层上制备金属缓冲层；
在所述金属缓冲层上制备阴极；
或
所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：
提供阴极基板，在所述阴极基板上制备金属缓冲层；
在所述金属缓冲层上制备4H-SiC材料的电子传输层；
在所述电子传输层上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备阳极。
7.如权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层采用磁控溅射法或PECVD制备获得。
8.如权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，采用采用磁控溅射法制备所述电子传输层时，采用n型六方纤锌矿结构的4H-SiC单晶作为靶材。
9.如权利要求6-8任一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述金属缓冲层采用磁控溅射法制备获得。
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