[发明专利]QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种QLED器件，包括阳极，结合在所述阳极上的量子点发光层，结合在所述量子点发光层上的电子传输层，结合在所述电子传输层上的金属缓冲层，以及设置在所述金属缓冲层上的阴极，其中，所述电子传输层的材料为n型4H‑SiC，所述金属缓冲层的材料选自能与所述n型4H‑SiC形成欧姆接触的金属材料。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。由于具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

尽管通过对量子点材料的改进使得QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，在传统量子点发光二极管器件结构[衬底(玻璃，柔性材料)/透明阳电极(如ITO)/导电缓冲层(如PEDOT:PSS)/空穴传输层(HTL)/量子点发光层(QDS)/电子传输层(ETL)/阴电极(如铝，银)，由于金属阴电极和金属氧化物电子传输层之间有明显的界面，金属电极与电子传输层的界面势垒较高，影响到载流子的有效注入、迁移，使其电子传输效率较低，进而影响器件的出光效率和使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有的QLED器件由于金属电极与电子传输层的界面势垒较高，导致载流子的有效注入、迁移降低，进而影响器件的出光效率和使用寿命的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种QLED器件，包括阳极，结合在所述阳极上的量子点发光层，结合在所述量子点发光层上的电子传输层，结合在所述电子传输层上的金属缓冲层，以及设置在所述金属缓冲层上的阴极，其中，所述电子传输层的材料为n型4H-SiC。

以及，一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：

提供阳极基板，在所述阳极基板上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备4H-SiC材料的电子传输层；

在所述电子传输层上制备金属缓冲层；

在所述金属缓冲层上制备阴极；

或

所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：

提供阴极基板，在所述阴极基板上制备金属缓冲层；

在所述金属缓冲层上制备4H-SiC材料的电子传输层；

在所述电子传输层上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阳极。

本发明提供的QLED器件，以4H-SiC材料作为电子传输层材料，所述n型4H-SiC具有较宽的带隙(3.26eV)和良好的电子迁移率(1140cm²/vs)，能够有效促进电子的传输，提高电子迁移率。同时，本发明在4H-SiC材料的电子传输层和阴极之间设置金属缓冲层，使n型4H-SiC电子传输层在与金属缓冲层接触时获得良好的欧姆接触，减小了接触面的接触电阻，降低阴极和电子传输层之间的界面势垒，从而电子可以通过隧道效应直接穿过势垒，提高载流子的传输效率，进而改善了器件的效率和稳定性。此外，在4H-SiC材料的电子传输层和阴极之间设置金属缓冲层，能够提高阴极的附着力。

本发明提供的QLED器件的制备方法，方法简单，实现成本较低，适合低成本大规模器件制备。

附图说明

图1是本发明实施例提供的QLED器件的结构示意图。