[发明专利]用于三维集成电路封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201711350794.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108054155B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡镜波;程自闯;张亮 | 申请（专利权）人： | 佛山金航向电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 国红 |
| 地址： | 528200 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于MOS管(12)四周且上下贯通Si基板(11)，用于对MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于MOS管(12)和隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通Si基板(11)，TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于Si基板(11)的下表面；互连线(17)，设置于Si基板(11)上，用于连接TSV区(14)的第一端面和MOS管(12)；铜凸点(18)，设置于TSV区(14)的第二端面上。本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置MOS管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维集成电路 封装 硅通孔 转接 | ||
【主权项】：
1.一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于所述Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于所述MOS管(12)四周且上下贯通所述Si基板(11)，用于对所述MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于所述MOS管(12)和所述隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通所述Si基板(11)，所述TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于所述Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于所述Si基板(11)的下表面；互连线(17)，设置于所述第一绝缘层(15)内，用于连接所述TSV区(14)的第一端面和所述MOS管(12)；铜凸点(18)，设置于所述TSV区(14)的第二端面上。
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