[发明专利]用于三维集成电路封装的硅通孔转接板

权利要求书

1.一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：

Si基板(11)；

MOS管(12)，设置于所述Si基板(11)内；MOS管器件周边被SiO₂绝缘层包围；

隔离区(13)，设置于所述MOS管(12)四周且上下贯通所述Si基板(11)，用于对所述MOS管(12)进行隔离；

TSV区(14)，设置于所述MOS管(12)和所述隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通所述Si基板(11)，所述TSV区(14)内的填充材料为铜；

第一绝缘层(15)，设置于所述Si基板(11)的上表面；

第二绝缘层(16)，设置于所述Si基板(11)的下表面；

互连线(17)，设置于所述第一绝缘层(15)内，用于连接所述TSV区(14)的第一端面和所述MOS管(12)；所述互连线为围绕成螺旋状的铜互连线；

铜凸点(18)，设置于所述TSV区(14)的第二端面上；

其中，所述隔离区(13)和所述TSV区(14)的深度一致，所述深度大于80μm，且小于等于120μm。

2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述MOS管(12)包括：P阱区、栅极区、源区、漏区和P阱接触区；其中，所述栅极区设置于所述P阱区上，所述源区和所述漏区设置于所述P阱区内且分别位于所述栅极区的第一侧和第二侧，所述P阱接触区设置于所述P阱区内且位于所述栅极区的第二侧。

3.根据权利要求2所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述TSV区(14)包括第一TSV区和第二TSV区；其中，所述第一TSV区设置于所述栅极区的第一侧，所述第二TSV区设置于所述栅极区的第二侧。

4.根据权利要求3所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述互连线(17)包括第一互连线和第二互连线；其中，所述第一互连线用于连接所述第一TSV区的第一端面和所述源区，所述第二互连线用于连接所述第二TSV区的第一端面、所述P阱接触区、所述漏区以及所述栅极区。

5.根据权利要求4所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述源区、所述P阱接触区、所述漏区和所述栅极区与所述互连线(17)之间均设置有钨插塞。

6.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述互连线(17)的材料为铜。

7.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述Si基板(11)的掺杂类型为P型，掺杂浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁵cm^-3，厚度为80μm～120μm。