[发明专利]封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711342088.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109216213B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在离型膜上方；将器件包封在包封材料中；在包封材料上进行平坦化以暴露器件；将器件和包封材料与载体分离；蚀刻管芯附接膜以暴露器件的背面；以及在器件的背面上施加导热材料。本发明的实施例还提供了一种封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在所述离型膜上方；将所述器件包封在包封材料中；对所述包封材料进行平坦化以暴露所述器件；形成再分布线以电耦合至所述器件；在形成所述再分布线之后，将所述器件和所述包封材料与所述载体分离；去除所述管芯附接膜以暴露所述器件的背面；以及将导热材料施加至所述器件的背面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
