[发明专利]封装件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201711342088.5 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN109216213B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种形成封装件的方法,包括:

在载体上方形成离型膜;

通过管芯附接膜将器件附接在所述离型膜上方;

将所述器件包封在包封材料中;

对所述包封材料进行平坦化以暴露所述器件;

形成再分布线以电耦合至所述器件;

在形成所述再分布线之后,将所述器件和所述包封材料与所述载体分离;

去除所述管芯附接膜以暴露所述器件的背面;以及

将导热材料施加至所述器件的背面上,

其中,在去除所述管芯附接膜之后:

形成延伸到所述包封材料中的凹槽,并且所述导热材料的部分填充到所述凹槽中,其中,所述导热材料的所述部分接触所述器件的侧壁;或者

去除所述管芯附接膜的与所述器件的背面接触的第一部分,并且保留所述管芯附接膜的与所述器件的侧壁接触的第二部分。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

分配底部填充物以接触所述导热材料。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导热材料横向延伸超过所述器件的侧壁。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导热材料具有高于1W/(k·m)的导热率。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导热材料选自由焊料、银、铜膏及它们的组合组成的组。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在所述载体上方形成金属柱,其中,所述金属柱包封在所述包封材料中,其中,在去除所述管芯附接膜时,去除所述包封材料的部分,并且所述金属柱 从所述包封材料处突出。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述管芯附接膜包括通过激光扫描实现。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,在通过所述管芯附接膜将所述器件附接在所述离型膜上方时,所述管芯附接膜从位于所述器件正下方的区域处挤压出去。

9.一种形成封装件的方法,包括:

在载体上方涂覆离型层;

在所述离型层上形成金属柱;

通过管芯附接膜将器件管芯附接在所述离型层上方;

将所述器件管芯和所述金属柱包封在包封材料中;

将光投射在所述离型层上以分解所述离型层的部分;

使所述载体与所述包封材料、所述器件管芯和所述金属柱脱离;

蚀刻所述管芯附接膜以露出所述器件管芯的背面;

将导热材料施加在所述器件管芯的背面上;

将封装件接合至所述金属柱;以及

分配底部填充物,其中,所述底部填充物的部分设置在所述器件管芯与所述封装件之间。

10.根据权利要求9所述的方法,还包括:

固化所述导热材料,其中,所述底部填充物接触所述导热材料。

11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述底部填充物接触所述器件管芯的背面。

12.根据权利要求9所述的方法,其中,当蚀刻所述管芯附接膜时,也蚀刻所述包封材料以使所述金属柱从所述包封材料处突出。

13.根据权利要求9所述的方法,其中,蚀刻所述管芯附接膜产生被形成为延伸到所述包封材料中的凹槽。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,将所述底部填充物填充到所述凹槽中。

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