[发明专利]封装件及其形成方法有效
申请号: | 201711342088.5 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN109216213B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
在载体上方形成离型膜;
通过管芯附接膜将器件附接在所述离型膜上方;
将所述器件包封在包封材料中;
对所述包封材料进行平坦化以暴露所述器件;
形成再分布线以电耦合至所述器件;
在形成所述再分布线之后,将所述器件和所述包封材料与所述载体分离;
去除所述管芯附接膜以暴露所述器件的背面;以及
将导热材料施加至所述器件的背面上,
其中,在去除所述管芯附接膜之后:
形成延伸到所述包封材料中的凹槽,并且所述导热材料的部分填充到所述凹槽中,其中,所述导热材料的所述部分接触所述器件的侧壁;或者
去除所述管芯附接膜的与所述器件的背面接触的第一部分,并且保留所述管芯附接膜的与所述器件的侧壁接触的第二部分。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
分配底部填充物以接触所述导热材料。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导热材料横向延伸超过所述器件的侧壁。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导热材料具有高于1W/(k·m)的导热率。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导热材料选自由焊料、银、铜膏及它们的组合组成的组。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述载体上方形成金属柱,其中,所述金属柱包封在所述包封材料中,其中,在去除所述管芯附接膜时,去除所述包封材料的部分,并且所述金属柱 从所述包封材料处突出。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述管芯附接膜包括通过激光扫描实现。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在通过所述管芯附接膜将所述器件附接在所述离型膜上方时,所述管芯附接膜从位于所述器件正下方的区域处挤压出去。
9.一种形成封装件的方法,包括:
在载体上方涂覆离型层;
在所述离型层上形成金属柱;
通过管芯附接膜将器件管芯附接在所述离型层上方;
将所述器件管芯和所述金属柱包封在包封材料中;
将光投射在所述离型层上以分解所述离型层的部分;
使所述载体与所述包封材料、所述器件管芯和所述金属柱脱离;
蚀刻所述管芯附接膜以露出所述器件管芯的背面;
将导热材料施加在所述器件管芯的背面上;
将封装件接合至所述金属柱;以及
分配底部填充物,其中,所述底部填充物的部分设置在所述器件管芯与所述封装件之间。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
固化所述导热材料,其中,所述底部填充物接触所述导热材料。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述底部填充物接触所述器件管芯的背面。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,当蚀刻所述管芯附接膜时,也蚀刻所述包封材料以使所述金属柱从所述包封材料处突出。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,蚀刻所述管芯附接膜产生被形成为延伸到所述包封材料中的凹槽。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,将所述底部填充物填充到所述凹槽中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造