[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在离型膜上方；将器件包封在包封材料中；在包封材料上进行平坦化以暴露器件；将器件和包封材料与载体分离；蚀刻管芯附接膜以暴露器件的背面；以及在器件的背面上施加导热材料。本发明的实施例还提供了一种封装件。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及封装件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多功能需要集成在半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装至更小的区域内，并且因此I/O焊盘的密度随着时间迅速提升。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这会对封装产量产生不利影响。

传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在它们被切割之前被封装。这种封装技术具有一些有利的特征，诸如更大的生产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术还具有缺陷。由于管芯的尺寸正变得越来越小，并且相应的封装件仅可以是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘被限制于直接位于相应的管芯的表面上方的区域。由于管芯的面积有限，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的节距的限制而受到限制。如果焊盘的节距减小，则可能发生焊料桥接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必须具有特定的尺寸，这进而限制可以封装在管芯表面上的焊球的数量。

在另一类封装中，在封装管芯之前从晶圆切割管芯。该封装技术的有利特征是形成扇出型封装件的可能性，这意味着管芯上的I/O焊盘可以分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增大封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好管芯”，而丢弃缺陷管芯，并且因此成本和精力不会浪费在缺陷管芯上。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在所述离型膜上方；将所述器件包封在包封材料中；对所述包封材料进行平坦化以暴露所述器件；形成再分布线以电耦合至所述器件；在形成所述再分布线之后，将所述器件和所述包封材料与所述载体分离；去除所述管芯附接膜以暴露所述器件的背面；以及将导热材料施加至所述器件的背面上。

根据本发明的另一个方面，提供了一种方法，包括：在载体上方涂覆离型层；在所述离型层上形成金属柱；通过管芯附接膜将器件管芯附接在所述离型层上方；将所述器件管芯和所述金属柱包封在包封材料中；将光投射在所述离型层上以分解所述离型层的部分；使所述载体与所述包封材料、所述器件管芯和所述金属柱脱离；蚀刻所述管芯附接膜以露出所述器件管芯的背面；将导热材料施加在所述器件管芯的背面上；将封装件接合至所述金属柱；以及分配底部填充物，其中，所述底部填充物的部分设置在所述器件管芯与所述封装件之间。

根据本发明的又一个方面，提供了一种封装件，包括：包封材料；贯通孔，穿透所述包封材料；器件，包封在所述包封材料中，其中，所述器件包括具有背面的半导体衬底；封装件组件，位于所述贯通孔上方并且接合至所述贯通孔；导热材料，位于所述器件中的所述半导体衬底的所述背面上方并且接触所述半导体器件中的所述半导体衬底的所述背面；以及底部填充物，位于所述包封材料与所述封装件组件之间，其中，所述底部填充物与所述包封材料接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图20A示出根据一些实施例的在形成封装件的过程中的中间阶段的截面图。

图20B至图20F示出根据一些实施例的一些封装件的截面图。

图21示出根据一些实施例的再分布线的一部分的放大视图。

图22示出根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程图。