[发明专利]硅基彩色OLED微显示器件及其制作方法有效
申请号: | 201711335865.3 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108063154B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 晋芳铭;李文连;任清江;王仕伟;赵铮涛 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34143 | 代理人: | 王学勇 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市三山区芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种硅基彩色OLED微显示器件,包括CMOS电路硅基底;在所述CMOS电路硅基底的表面间隔制作像素阳极,在相邻像素阳极的间隙处制作反射阻挡层,在像素阳极上依次蒸镀空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL、透明阴极;在透明阴极上封装薄膜层;在封装薄膜层上制作彩色光阻层;在彩色光阻层上贴合玻璃盖片。本发明具有避免混色、提高微显示器件的显示亮度和对比度的优点。 | ||
搜索关键词: | 彩色 oled 显示 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅基彩色OLED微显示器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在CMOS电路硅基底(100)上制作像素阳极(200);S2、在相邻像素阳极(200)间隔处制作反射阻挡层(800);S3、在像素阳极(200)上依次蒸镀空穴注入层HIL(301)、空穴传输层HTL(302)、发光层EML(303)、电子传输层ETL(304)、电子注入层EIL(305)、透明阴极(400);S4、透明阴极(400)上封装薄膜层(500);S5、在封装薄膜层(500)上制作彩色光阻层(600);S6、在彩色光阻层(600)上贴合玻璃盖片(700);S7、切割后,获得产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的