[发明专利]硅基彩色OLED微显示器件及其制作方法

说明书

本发明公开一种硅基彩色OLED微显示器件，包括CMOS电路硅基底；在所述CMOS电路硅基底的表面间隔制作像素阳极，在相邻像素阳极的间隙处制作反射阻挡层，在像素阳极上依次蒸镀空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL、透明阴极；在透明阴极上封装薄膜层；在封装薄膜层上制作彩色光阻层；在彩色光阻层上贴合玻璃盖片。本发明具有避免混色、提高微显示器件的显示亮度和对比度的优点。

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，尤其涉及硅基彩色OLED微显示器件及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管（OLED）显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器（LCD）之后的第三代显示技术，可以广泛用于VR/AR（虚拟现实/增强现实）、智能手机、平板电脑、电视及军用头盔显示器等终端产品。OLED 微显示器指的是显示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驱动的有机发光器件，像素高达800×600以上，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等，具有广阔的市场前景和军事价值。

目前，几乎所有的OLED微显示器件的彩色化是通过白光加彩色光阻的方案实现的。像素阳极发出白光，经过RGB彩色光阻发出不同的颜色。由于微显示器件对于像素分辨率要求高，像素与像素之间的间隔被严格限制，通常在一微米以下。如此近的像素间隔，造成相邻像素之间极容易发生串色，降低微显示器件的对比度和显示质量。

所以，如何解决OLED微显示器件小的像素间隔条件下容易发生串色，提高显示对比度成为我们要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供硅基彩色OLED微显示器件及其制作方法，以解决传统的硅基OLED微显示器件的串色严重，对比度差的问题。

本发明主要通过以下技术手段解决上述技术问题的：一种硅基彩色OLED微显示器件的制作方法，包括以下步骤：

S1、在CMOS电路硅基底上制作像素阳极；

S2、在相邻像素阳极间隔处制作反射阻挡层；

S3、在像素阳极上依次蒸镀空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL、透明阴极；

S4、透明阴极上封装薄膜层；

S5、在封装薄膜层上制作彩色光阻层；

S6、在彩色光阻层上贴合玻璃盖片；

S7、切割后，获得产物。

优选地，所述的反射阻挡层的制作包括以下步骤：

T1、在像素阳极间隔处的氧化硅或者氮化硅上通过磁控溅射的方法生长上一层厚度100~200nm的铝层；

T2、通过原子层沉积在铝层外生长一层5~50 nm的氧化铝层将铝层包覆起来。

本发明还公开一种采用上述的硅基彩色OLED微显示器件的制作方法制备的硅基彩色OLED微显示器件，包括CMOS电路硅基底；在所述CMOS电路硅基底的表面间隔制作像素阳极，在相邻像素阳极的间隙处制作反射阻挡层，在像素阳极上依次蒸镀空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL、透明阴极；在透明阴极上封装薄膜层；在封装薄膜层上制作彩色光阻层；在彩色光阻层上贴合玻璃盖片。

优选地，单个所述像素阳极的面积＜30μm2。

优选地，所有像素阳极在CMOS电路硅基底表面分布呈矩形条状阵列或矩形条状交错阵列或六边形阵列。

优选地，相邻像素阳极之间填充有氧化硅或者氮化硅。