[发明专利]硅基彩色OLED微显示器件及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基彩色OLED微显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在CMOS电路硅基底(100)上制作像素阳极(200)；

S2、在相邻像素阳极(200)间隔处制作反射阻挡层(800)；

S3、在像素阳极(200)上依次蒸镀空穴注入层HIL(301)、空穴传输层HTL(302)、发光层EML(303)、电子传输层ETL(304)、电子注入层EIL(305)、透明阴极(400)；

S4、透明阴极(400)上封装薄膜层(500)；

S5、在封装薄膜层(500)上制作彩色光阻层(600)；

S6、在彩色光阻层(600)上贴合玻璃盖片(700)；

S7、切割后，获得产物。

2.根据权利要求1所述的硅基彩色OLED微显示器件的制作方法，其特征在于，所述的反射阻挡层(800)的制作包括以下步骤：

T1、在像素阳极(200)间隔处的氧化硅或者氮化硅上通过磁控溅射的方法生长上一层厚度100~200nm的铝层(801)；

T2、通过原子层沉积在铝层(801)外生长一层5~50 nm的氧化铝层(802)将铝层(801)包覆起来。

3.一种采用如权利要求1-2任一项所述的硅基彩色OLED微显示器件的制作方法制备的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，包括CMOS电路硅基底(100)；在所述CMOS电路硅基底(100)的表面间隔制作像素阳极(200)，在相邻像素阳极(200)的间隙处制作反射阻挡层(800)，在像素阳极(200)上依次蒸镀空穴注入层HIL(301)、空穴传输层HTL(302)、发光层EML(303)、电子传输层ETL(304)、电子注入层EIL(305)、透明阴极(400)；在透明阴极(400)上封装薄膜层(500)；在封装薄膜层(500)上制作彩色光阻层(600)；在彩色光阻层(600)上贴合玻璃盖片(700)。

4.根据权利要求3所述的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，单个所述像素阳极(200)的面积小于30μm2。

5.根据权利要求3所述的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，所有像素阳极(200)在CMOS电路硅基底(100)表面分布呈矩形条状阵列或矩形条状交错阵列或六边形阵列。

6.根据权利要求3所述的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，相邻像素阳极(200)之间填充有氧化硅或者氮化硅。

7.根据权利要求3所述的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，相邻像素阳极(200)之间的最大间隔≤1μm。

8.根据权利要求3所述的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，每三个相邻像素为一组，分别用于显示红色、绿色、蓝色；所述三个像素构成一个全彩色像素，全彩色像素的分辨率≥800×600。

9.根据权利要求3所述的硅基彩色OLED微显示器件，其特征在于，所述反射阻挡层(800)包括铝层(801)以及包裹在外围的氧化铝层(802)。

10.一种反射阻挡层的制作方法，包括以下步骤：

T1、在像素阳极(200)间隔处的氧化硅或者氮化硅上通过磁控溅射的方法生长上一层厚度100~200nm的铝层(801)；

T2、通过原子层沉积在铝层(801)外生长一层5~50 nm的氧化铝层(802)将铝层(801)包覆起来。